Thermal Emission Probe Station은 반도체 소자에 전기적 Bias 또는 Stress를 인가하면서 발생하는 미세한 온도 변화 및 국부적인 발열(Hot Spot)을 고감도 IR Camera를 이용하여 검출·분석하는 반도체 Failure Analysis 장비​입니다.

반도체 Device에 전압과 전류가 인가되면 정상적인 동작에서도 열이 발생하지만, 불량이나 국부적인 Leakage Current가 존재하는 경우 특정 영역에서 비정상적으로 높은 열이 발생할 수 있습니다.
본 장비는 이러한 Thermal Emission을 비접촉 방식으로 측정하여 발열 위치와 온도 분포를 분석할 수 있습니다.

검출된 열화상 이미지와 소자의 패턴 이미지를 정밀하게 중첩하여 표시함으로써, 불량이 발생한 위치를 빠르고 정확하게 확인할 수 있습니다.
또한 자체 개발 한 Thermal Lock-In System을 이용하여 이를 통해 반도체 및 디스플레이 소자의 전기적 이상 부위와 발열 원인을 효율적으로 분석할 수 있으며, 높은 위치 정밀도를 기반으로 신속한 Failure Analysis를 지원합니다.

The Thermal Emission Probe Stationuses a high-sensitivity IR camera to detect minute temperature changes and localized hot spots generated under electrical bias or stress.

Devices produce heat during normal operation, but defects or localized leakage can create abnormal hot spots. Non-contact thermal-emission measurement maps the heat source and temperature distribution. Thermal images are precisely overlaid with device-pattern images to locate failures quickly and accurately. A proprietary Thermal Lock-In System further improves sensitivity.

The system efficiently identifies electrical anomalies and heat sources in semiconductor and display devices, supporting rapid failure analysis with high positional accuracy.